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Espefificações Técnicas:
- Desempenho garantido a 175 MHz, 50 V: - Potência de Saída - 300 W - Ganho - 14 dB (16 dB Typ) - Eficiência - 50% - Baixa Resistência Térmica - 0,35 ° C / W - Resistência testada em potência de saída nominal
Transistor 2N 6083
Transistor - IRFP 350
Transistor RF - IRFP-250 N
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